+ 86 755-83044319

Продукция

/
/
/
SiC-устройства
Карбид кремния SiC представляет собой сложный полупроводниковый материал, состоящий из кремния Si и углерода C, обычно в кристаллическом типе 4H-SiC. Его напряженность поля пробоя изоляции в 10 раз больше, чем у Si, энергетическая запрещенная зона в 3 раза больше, чем у Si, теплопроводность в 3 раза больше, чем у Si, а скорость дрейфа насыщения в 2 раза больше, чем у Si. Это превосходный материал для силовых электронных устройств, чем кремний.
Просмотр по категориям

Сервисная горячая линия

+ 86 0755-83044319

Датчик эффекта Холла

Получить информацию о продукте

WeChat

WeChat