+ 86 755-83044319

Продукция

/
/
/
SiC МОП-транзистор
Импеданс дрейфового слоя устройств SiC из карбида кремния ниже, чем у устройств Si, а высокое выдерживаемое напряжение и низкий импеданс могут быть достигнуты с помощью структуры MOSFET без модуляции проводимости. Более того, МОП-транзисторы в принципе не генерируют хвостовой ток, благодаря чему можно существенно снизить коммутационные потери и достичь миниатюризации компонентов тепловыделения при замене IGBT на SiC-MOSFET. Кроме того, рабочая частота SiC-MOSFET может быть намного выше, чем у IGBT, его части конденсатора индуктора меньше, что позволяет легко реализовать систему небольшого размера и веса. По сравнению с тем же Si-MOSFET с напряжением 600 В ~ 900 В, площадь чипа SiC-MOSFET невелика, его можно использовать в небольших корпусах, а потери на восстановление корпуса диода очень малы. В настоящее время SiC MOSFET в основном используются в высокотехнологичных промышленных источниках питания, высокотехнологичных инверторах и преобразователях, высокотехнологичных двигателях для сопротивления и управления и т. д.

Сервисная горячая линия

+ 86 0755-83044319

Датчик эффекта Холла

Получить информацию о продукте

WeChat

WeChat